Vishay推出的新款60 V MOSFET是業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件

來源:智匯工業

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關鍵詞:Vishay 標準柵極驅動電路 MOSFET

    賓夕法尼亞、MALVERN—2019812日前,VishayIntertechnology, Inc.NYSE股市代號:VSH)宣布,推出新款60 VTrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN,業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件,10 V條件下最大導通電阻降至4 mW,采用熱增強型3.3 mmx 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。Vishay SiliconixSiSS22DN專門用于提高功率轉換拓撲結構的效率和功率密度,柵極電荷僅為22.5 nC,同時具有低輸出電荷(QOSS)。

    與邏輯電平60 V器件不同,SiSS22DN提高了典型VGS(th)Miller米勒)平臺電壓,適用于柵極驅動電壓高于6 V的電路,器件最佳動態特性縮短死區時間,防止同步整流應用發生擊穿。SiSS22DN業內低導通電阻比排名第二的產品低4.8%—與領先的邏輯電平器件不相上下—QOSS34.2 nCQOSS與導通電阻乘積,即零電壓開關(ZVS)或開關柜拓撲結構功率轉換設計中,MOSFET的重要優值系數(FOM)達到最佳水平。為實現更高功率密度,器件比6 mm x5 mm封裝類似解決方案節省65%PCB空間。

     

    SiSS22DN改進了技術規格,經過調校最大限度降低導通和開關損耗,多電源管理系統構件可實現更高效率,包括AC/DCDC/DC拓撲結構同步整流、DC/DC轉換器主邊開關、降壓-升壓轉換器半橋MOSFET功率級,以及通信和服務器電源OR-ing功能、電動工具和工業設備電機驅動控制和電路保護、電池管理模塊的電池保護和充電。

     

    MOSFET經過100 % RGUIS測試,符合RoHS標準,無鹵素。

     

    SiSS22DN現可提供樣品并已實現量產,供貨周期為30周,視市場情況而定。

     

    VISHAY簡介

    Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1000強企業”,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、通信、國防、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網站www.vishay.com


    (審核編輯: 智匯小新)

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